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HSCT027W65G34AG
ID:97A VDSS:650V RDON:25mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）拥有97A的大电流承载能力和650V的高耐压特性，导通电阻仅为25mΩ，确保了极低的功率损耗和高效的能量转换。其栅源电压工作范围为-5V至+20V，提供了灵活的驱动条件。适用于要求高性能、快速开关速度以及良好热稳定性的电源供应、逆变器及其他电子设备中，能够满足多种电路设计的需求。
- 商品型号
- HSCT027W65G34AG
- 商品编号
- C42389106
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.88克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 耗散功率(Pd) | 429W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 172nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.28nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 33pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 359pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ |