HNTH4L080N120SC1
ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续 drain 电流（ID）可达 32A，在阻断电压（VDSS）方面则高达 1200V。此器件导通电阻（RDSON）仅为 75毫欧，有助于减少功率损耗。其栅源电压（VGS）的最大绝对值为 15V，确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET，它适用于多种高频开关应用中，例如在精密电源管理或消费类电子产品中实现高效能量转换。
- 商品型号
- HNTH4L080N120SC1
- 商品编号
- C42389104
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.072克(g)
商品参数
参数完善中
商品特性
- 第三代碳化硅MOSFET技术
- 带有独立驱动源引脚的优化封装
- 高阻断电压和低导通电阻
- 低电容的高速开关
- 具有低反向恢复的快速本征二极管(Ω(n'))
- 无卤，符合RoHS标准
应用领域
- 可再生能源
- 电动汽车电池充电器
- 高压直流/直流转换器
- 开关模式电源