HNTH4L080N120SC1

ID:32A VDSS:1200V RDON:75mR N沟道

描述

这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备出色的电气特性，其连续 drain 电流（ID）可达 32A，在阻断电压（VDSS）方面则高达 1200V。此器件导通电阻（RDSON）仅为 75毫欧，有助于减少功率损耗。其栅源电压（VGS）的最大绝对值为 15V，确保了可靠的开关性能。作为一款N沟道MOSFET，它适用于多种高频开关应用中，例如在精密电源管理或消费类电子产品中实现高效能量转换。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNTH4L080N120SC1

商品编号

C42389104

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)