HNVH4L160N120SC1

ID:19A VDSS:1200V RDON:160mR N沟道

描述

该款碳化硅场效应管（MOSFET）具有N沟道结构，其设计允许最大连续 drain 电流（ID）为 19A，并且能够承受高达 1200V 的漏源电压（VDSS）。该器件的导通电阻（RDSON）为 160毫欧，在栅源电压（VGS）达到 20V 时提供稳定的开关操作。这些特性使其非常适合用于需要高效率与可靠性的电子设备中的电源转换和管理电路。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNVH4L160N120SC1

商品编号

C42389105

商品封装

TO-247-4L​

包装方式

管装

商品毛重

8.072克(g)