HSCT1000N170AG

ID:5A VDSS:1700V RDON:1000mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管具有1700V的高漏源电压VDSS，适用于需要耐高压的应用场合。其最大漏极电流ID为5A，适合中低功率电路需求。导通电阻RDON为1000mΩ，虽然相对较高但保证了在特定条件下的稳定工作。栅源电压VGS范围达到20V，确保良好的驱动兼容性。该MOSFET特别适合于对温度稳定性及开关速度有较高要求的电源转换、逆变器以及其他高性能电子设备的设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HSCT1000N170AG

商品编号

C42389046

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)