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HNVHL040N120SC1
ID:63A VDSS:1200V RDON:32mR N沟道
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- 描述
- 这款碳化硅场效应管（MOSFET）具备63A的连续排水电流（ID），并在断态时能承受最高1200V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）仅为32毫欧，在15V的栅源电压（VGS）下工作。作为一款N沟道器件，它适用于高效率电源转换应用，如开关电源供应器、太阳能逆变器以及其他需要高性能功率管理的场合中，能够提供可靠的性能与出色的热稳定性。
- 商品型号
- HNVHL040N120SC1
- 商品编号
- C42389099
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |
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