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HSCTWA60N12G24AG
ID:63A VDSS:1200V RDON:32mR N沟道
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- 描述
- 该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，具备出色的电气性能。其最大漏极电流可达63A，支持高达1200V的漏源电压，导通电阻仅为32mΩ，保证了高效的能源转换率和较低的热损耗。栅源电压范围在±15V内，确保了良好的驱动兼容性。这款MOSFET适用于需要高效率、快速开关速度以及稳定工作特性的电源管理方案中，是构建紧凑且高性能电路的理想选择。
- 商品型号
- HSCTWA60N12G24AG
- 商品编号
- C42389100
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.28克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 118nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 3.357nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 129pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 43mΩ |
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