HSCTW35N65G2VAG

ID:29A VDSS:650V RDON:60mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有29安培的连续排水电流（ID），并且设计有650伏特的最大漏源电压（VDSS）。在栅源电压（VGS）为15伏特时，该器件展现出60毫欧的低导通电阻（RDSON）。这些特性使其成为高频开关应用的理想选择，适用于需要高效能及可靠性的电子设备，例如便携式充电装置或消费电子产品中的电源管理系统，有助于提升整体效率并减少能量损耗。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HSCTW35N65G2VAG

商品编号

C42389101

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)