HNTHL020N120SC1

ID:115A VDSS:1200V RDON:16mR N沟道

描述

这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有115A的最大导通电流ID，以及高达1200V的漏源电压VDSS，适用于需要高电压处理能力的应用场景。其导通电阻RDON仅为16毫欧（mΩ），有助于降低功耗，提高系统的整体效率。栅源电压VGS的最大值为15V，确保了良好的开关性能。此器件适合应用于对效率和可靠性有严格要求的电力转换设备中，例如高性能的电源供应器或太阳能逆变器，能够有效提升电力转换效率并保证系统的稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HNTHL020N120SC1

商品编号

C42389098

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.732克(g)