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HSCT30N120
ID:36A VDSS:1200V RDON:80mR N沟道
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- 描述
- 这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）的最大导通电流（ID）为36A，断态电压（VDSS）为1200V，适用于高压环境下的电路设计。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，有助于降低能耗，优化系统效率。该器件的工作栅源电压（VGS）为20V，适合应用于需要高压和低功耗特性的电源管理系统及电力转换设备中，能够提供可靠的电力控制解决方案。
- 商品型号
- HSCT30N120
- 商品编号
- C42389045
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 耗散功率(Pd) | 192W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.13nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.6pF | |
| 工作温度 | -56℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 92pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ |
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