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HNTH4L040N120SC1
ID:78A VDSS:1200V RDON:40mR N沟道
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- 描述
- 此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有78A的导通电流（ID），并能在断态下承受高达1200V的电压（VDSS）。其低导通电阻（RDSON）为40毫欧，有助于减少电力损耗，提升转换效率。器件设计需18V的栅源电压（VGS）来触发，适用于高频开关电源、电力调节模块等高效能应用领域，有效支持精密电力控制需求。
- 商品型号
- HNTH4L040N120SC1
- 商品编号
- C42389043
- 商品封装
- TO-247-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.26克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 耗散功率(Pd) | 405W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 131nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.101nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 14pF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 161pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ |
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