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DMP32D4S-7
1个P沟道 耐压:30V 电流:300mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP32D4S-7
- 商品编号
- C3290031
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 51.16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-栅极具备ESD保护-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
应用领域
-负载开关-便携式应用-电源管理功能