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ZXMN6A09GQTA实物图
  • ZXMN6A09GQTA商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ZXMN6A09GQTA

1个N沟道 耐压:60V 电流:7.5A

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描述
这款MOSFET旨在满足汽车应用的严格要求。它符合AEC-Q101标准,有PPAP支持,适用于DC-DC转换器、电源管理功能、断开开关、电机控制。
品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
ZXMN6A09GQTA
商品编号
C3289933
商品封装
SOT-223​
包装方式
编带
商品毛重
0.213215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7.5A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@10V
耗散功率(Pd)3.9W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)24.2nC@10V
输入电容(Ciss)1.407nF
反向传输电容(Crss)59pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
  • 高电压
  • 低导通电阻
  • 快速开关速度
  • 低栅极驱动
  • 低阈值
  • 无铅表面处理;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

-直流-直流转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制

数据手册PDF