温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMS4N01R2
单N沟道,电流:4.2A,耐压:20V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4N01R2
- 商品编号
- C3289748
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
FDFS2P103A在SO-8封装中结合了仙童半导体公司PowerTrench MOSFET技术的卓越性能与极低正向压降的肖特基势垒整流器。 该器件专为直流 - 直流转换器设计，采用单封装解决方案。它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET，且导通电阻极低。独立连接的肖特基二极管使其可用于各种直流/直流转换器拓扑。
商品特性
- 5.3 A，-30 V，VGS = -10 V时，RDS(ON) = 59 mΩ
- VGS = -4.5 V时，RDS(ON) = 92 mΩ
- 1 A（TJ = 125°C）时，VF < 0.35 V
- 1 A（TJ = 25°C）时，VF < 0.25 V
- 肖特基二极管和MOSFET集成于单个功率表面贴装SO-8封装中
- 肖特基二极管和MOSFET引脚电气独立，便于灵活设计