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NTMS4N01R2
单N沟道,电流:4.2A,耐压:20V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMS4N01R2
- 商品编号
- C3289748
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
FDFS2P103A在SO-8封装中结合了仙童半导体公司PowerTrench MOSFET技术的卓越性能与极低正向压降的肖特基势垒整流器。 该器件专为直流 - 直流转换器设计，采用单封装解决方案。它具有快速开关、低栅极电荷的MOSFET，且导通电阻极低。独立连接的肖特基二极管使其可用于各种直流/直流转换器拓扑。
商品特性
- 高密度功率MOSFET,超低导通电阻RDS(on),效率更高
- 微型SO-8表面贴装封装,节省电路板空间;提供SO-8封装的安装信息
- 规定了高温下的漏源极截止电流IDSS
- 规定了漏源极雪崩能量
- 二极管具有高速、软恢复特性
- 提供无铅封装
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如:计算机、打印机、PCMCIA卡、移动电话和无绳电话