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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

FDS6699S

1个N沟道 耐压:30V 电流:21A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDS6699S
商品编号
C3289743
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.215克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)21A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.6mΩ@21A,10V
属性参数值
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)91nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.61nF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

数据手册PDF

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