FDFMA2P859T
P沟道MOSFET,电流:-3.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFMA2P859T
- 商品编号
- C3288661
- 商品封装
- MicroFET(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.5 V时的rDS(ON)。
商品特性
- MOSFET:
- 在VGS = -4.5 V、ID = -3.0 A时,最大rDS(on) = 120 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -2.5 A时,最大rDS(on) = 160 mΩ
- 在VGS = -1.8 V、ID = -1.0 A时,最大rDS(on) = 240 mΩ
- 肖特基二极管:
- 在1 A电流下,VF < 0.54 V
- 采用新型MicroFET 2x2 Thin封装,高度低至最大0.55 mm
- 不含卤化化合物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组-直流-直流降压转换器