FDFMA2P859T
P沟道MOSFET,电流:-3.0A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDFMA2P859T
- 商品编号
- C3288661
- 商品封装
- MicroFET(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款单N沟道MOSFET采用先进的功率沟槽工艺设计，旨在优化特殊MicroFET引线框架上VGS = 1.5 V时的rDS(ON)。
商品特性
- VGS = 4.5 V、ID = 9.4 A时，最大rDS(on) = 14.5 mΩ
- VGS = 2.5 V、ID = 8.3 A时，最大rDS(on) = 18.2 mΩ
- VGS = 1.8 V、ID = 7.3 A时，最大rDS(on) = 23.3 mΩ
- VGS = 1.5 V、ID = 6.2 A时，最大rDS(on) = 32.3 mΩ
- 低外形——新型2x2 mm MicroFET封装最大高度为0.8 mm
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组-直流-直流降压转换器