FDME430NT
N沟道,电流:6A,耐压:30V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDME430NT
- 商品编号
- C3288659
- 商品封装
- MicroFET(1.6x1.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 71mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 760pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 当VGS = 4.5 V、ID = 6 A时,最大rDS(on) = 40 mΩ
- 当VGS = 2.5 V、ID = 5 A时,最大rDS(on) = 51 mΩ
- 当VGS = 1.8 V、ID = 4 A时,最大rDS(on) = 71 mΩ
- 超薄设计:新型MicroFET 1.6x1.6 Thin封装最大厚度为0.55 mm
- 不含卤化物和氧化锑
- 符合RoHS标准
应用领域
- 锂离子电池组
- 基带开关
- 负载开关
- DC-DC转换