FDW264P
P沟道 MOSFET,电流:-9.7A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDW264P
- 商品编号
- C3281994
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 135nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.225nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 900pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.03nF |
商品概述
这款指定 2.5V 的 N 沟道 MOSFET 采用了飞兆半导体先进的 PowerTrench 工艺，具备坚固耐用的栅极。它针对宽范围栅极驱动电压（2.5V - 10V）的电源管理应用进行了优化。
商品特性
- 在 VGS = -2.5 V 时,RDS(ON) = 14.5 mΩ
- -9.7 A,-20 V。在 VGS = -4.5 V 时,RDS(ON) = 10.0 mΩ
- 适用于电池应用的扩展 VGSS 范围(± 12 V)
- 低栅极电荷
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(ON)
- 薄型 TSSOP - 8 封装
应用领域
-负载开关-电机驱动-DC/DC 转换-电源管理