SI6466DQ
N沟道,电流:7.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- SI6466DQ
- 商品编号
- C3281992
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.32nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 211pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 396pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 7.8 A、20 V;VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 15 mΩ
- VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 22 mΩ
- 扩展的VGSS范围(±12V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 薄型TSSOP - 8封装
应用领域
- 电池保护
- DC/DC转换
- 电源管理
- 负载开关