FDR840P
P沟道,电流:-10A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDR840P
- 商品编号
- C3281951
- 商品封装
- TSOP-8-3.30mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.481nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.532nF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度降低导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
~~- 低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 背光照明-DC-DC转换器-电源管理功能