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场效应管(MOSFET)
2N7000
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对比
2N7000
1个N沟道 耐压:60V 电流:350mA
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
2N7000
商品编号
C3281857
商品封装
TO-92-3
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
类型
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
350mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)
5Ω@500mA,10V
属性
参数值
功率(Pd)
400mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)
3V@1mA
栅极电荷(Qg@Vgs)
2nC@5V
输入电容(Ciss@Vds)
50pF@25V
工作温度
-
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