SI2324DS-T1-BE3
N沟道,电流:2.3A,耐压:100V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2324DS-T1-BE3
- 商品编号
- C3280188
- 商品封装
- SOT-23-3(TO-236-3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 278mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)测试
- 100%进行非钳位感性开关(UIS)测试
应用领域
- 直流-直流转换器
- 负载开关
- 液晶电视的LED背光源