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FDS9933BZ
双P沟道,电流:-4.9A,耐压:-20V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9933BZ
- 商品编号
- C3279828
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.215克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 69mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 985pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 215pF |
商品特性
- 在VGS = -4.5 V、ID = -4.9 A时,最大rDS(on) = 46 mΩ
- 在VGS = -2.5 V、ID = -4.0 A时,最大rDS(on) = 69 mΩ
- 低栅极电荷(典型值为11 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级 >3 kV
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电池充电
- 负载开关