ZXMN2A02N8TA
N沟道,电流:10.2A,耐压:20V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMN2A02N8TA
- 商品编号
- C3279785
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 218pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 356pF |
商品概述
这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它通过了AEC-Q101认证，并具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景： 电机控制
- 背光源 DC-DC转换器
- 打印设备
商品特性
-低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-薄型SOIC封装
应用领域
-断开开关-电机控制