FDS7060N7
30V, 19A, N沟道MOSFET
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS7060N7
- 商品编号
- C3279774
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 56nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.274nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 283pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 721pF |
商品概述
这款单N沟道功率MOSFET采用先进的MegaFET工艺制造。该工艺的特征尺寸接近大规模集成电路（LSI），能实现硅的最优利用，从而带来出色的性能。它专为开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器和低压总线开关等应用而设计。该产品在3V - 5V的栅极偏置下可实现全额定导通，从而便于直接通过逻辑电平（5V）集成电路进行真正的通断功率控制。
商品特性
- R D S (ON) = 7 m Ω(V GS = 4. 5 V 时)
- 19 A、30 V,RDS(ON) = 5 m Ω(VGS = 10 V 时)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关,低栅极电荷(典型值35nC)
- FLMP SO - 8封装:在行业标准封装尺寸下增强热性能
应用领域
-同步整流器-DC/DC转换器