DMN3012LEG-13
N沟道同步增强模式MOSFET,电流:15A,耐压:30V
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3012LEG-13
- 商品编号
- C3279393
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.087克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 410pF |
商品概述
CoolMOS CP系列器件兼具快速开关超结（SJ）MOSFET的所有优势，且使用便捷。极低的开关损耗和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑、轻便且散热性能更佳。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 无铅涂层;符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
- 直流-直流转换器
- 电源管理功能