FDM606P
P沟道,电流:-6.8A,耐压:-20V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDM606P
- 商品编号
- C3278424
- 商品封装
- MLP-8(3x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 70mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.92W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺经过特别优化,可最大程度降低导通电阻,同时保持较低的栅极电荷,以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- 快速开关
- rDS(ON) = 0.026 Ω(典型值),VGS = -4.5 V
- rDS(ON) = 0.033 Ω(典型值),VGS = -2.5 V
- rDS(ON) = 0.052 Ω(典型值),VGS = -1.8 V
应用领域
-负载开关-电池充电-电池断开电路