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FDM606P实物图
  • FDM606P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDM606P

P沟道,电流:-6.8A,耐压:-20V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDM606P
商品编号
C3278424
商品封装
MLP-8(3x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.046克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.8A
导通电阻(RDS(on))70mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)1.92W
阈值电压(Vgs(th))1.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)30nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.2nF
反向传输电容(Crss)160pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)350pF

数据手册PDF

优惠活动

购买数量

(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个3000个/圆盘

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