FDMC86106LZ
1个N沟道 耐压:100V 电流:7.5A 电流:3.3A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC86106LZ
- 商品编号
- C3278421
- 商品封装
- MLP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.3A；7.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 103mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 2.3W；19W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造,该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺针对导通电阻进行了优化,同时保持了卓越的开关性能。增加了G-S齐纳二极管以提高ESD电压等级。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 3.3 A时,最大rDS(on) = 103 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 2.7 A时,最大rDS(on) = 153 mΩ
- 典型HBM ESD保护等级 >3 KV
- 100%进行UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-DC-DC转换