FDMC4435BZ-F127-L701
1个P沟道 耐压:30V 电流:8.5A 电流:18A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC4435BZ-F127-L701
- 商品编号
- C3278419
- 商品封装
- MLP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款P沟道MOSFET采用安森美半导体（onsemi）先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺经过专门设计，可将导通电阻降至最低。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -8.5 A时,最大rDS(on) = 20 mΩ
- 在VGS = -4.5 V、ID = -6.3 A时,最大rDS(on) = 37 mΩ
- 扩展的VGSS范围(-25 V),适用于电池应用
- 高性能沟槽技术,实现极低的rDS(on)
- 高功率和电流处理能力
- 人体模型(HBM)静电放电(ESD)保护等级典型值>7 kV
- 经过100%非钳位电感负载(UIL)测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 直流 - 直流降压转换器中的高端开关
- 笔记本电池电源管理
- 笔记本中的负载开关