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HXY5N10AI
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为100V高压应用设计，具备5A大电流处理能力。拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换及各类高功率电子系统中，实现高效可靠的功率管理与控制。
- 商品型号
- HXY5N10AI
- 商品编号
- C3033404
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 182pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY4406S采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 8.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 18mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源