HXY5N10AI
1个N沟道 耐压:100V 电流:5A
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，专为100V高压应用设计，具备5A大电流处理能力。拥有卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换及各类高功率电子系统中，实现高效可靠的功率管理与控制。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY5N10AI商品编号
C3033404商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 182pF@50V |
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