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HXY3N10AI
1个N沟道 耐压:100V 电流:3A
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- 描述
- 该消费级N沟道MOSFET采用小型化SOT-23封装，适用于100V电压系统，额定电流高达3A。专为电池管理、信号切换等应用设计，具有卓越的低导通电阻与快速开关性能，是现代电子设备中理想的高效能半导体功率开关组件。
- 商品型号
- HXY3N10AI
- 商品编号
- C3033403
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 248mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 711pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 41pF |
商品概述
HXY3401AI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) < 55mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) < 75mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源