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HXY7002AI
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.3A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，耐压高达60V，适用于低至0.3A电流的精密控制场景。具备快速开关与低导通电阻特性，广泛应用于电池保护、电源管理及各类电子设备的信号切换，提供高效且可靠的功率转换解决方案。
- 商品型号
- HXY7002AI
- 商品编号
- C3033402
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 21pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
HXY7002AI采用先进的沟槽技术,可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷,并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V,ID = 0.3A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 2Ω
- 静电放电等级:人体模型(HBM)≥2000V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源