HXY7002AI
1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装，耐压高达60V，适用于低至0.3A电流的精密控制场景。具备快速开关与低导通电阻特性，广泛应用于电池保护、电源管理及各类电子设备的信号切换，提供高效且可靠的功率转换解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY7002AI商品编号
C3033402商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2Ω@10V,0.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.9V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 21pF@25V |
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