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HXY7002AI

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:60V 电流:300mA

  • SMT扩展库
  • 嘉立创SMT补贴
  • 描述

    该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23小型封装,耐压高达60V,适用于低至0.3A电流的精密控制场景。具备快速开关与低导通电阻特性,广泛应用于电池保护、电源管理及各类电子设备的信号切换,提供高效且可靠的功率转换解决方案。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    HXY7002AI
  • 商品编号

    C3033402
  • 商品封装

    SOT-23
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.009克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)300mA
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2Ω@10V,0.5A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.9V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)21pF@25V

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