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HXY3422MI
1个N沟道 耐压:60V 电流:4.5A
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- 描述
- 该消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，具备N沟道特性，支持高达60V的工作电压及4.5A连续电流，特别适用于高效率电源转换和电子设备开关控制。其小巧外形与卓越性能相结合
- 商品型号
- HXY3422MI
- 商品编号
- C3033401
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.012克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY3422MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 4.5A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 85mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 93mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理