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HXY3404MI
1个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为30V电压系统设计，具备5A强大电流承载力。具有低导通电阻与快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效能、稳定的功率控制功能。
- 商品型号
- HXY3404MI
- 商品编号
- C3033398
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 255pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
2333MI采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -20V，ID = -7A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理