HXY3407AI
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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描述
该款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为30V电压系统设计，额定电流4.1A。具备低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换及各类电子设备中，实现高效可靠的功率控制与切换功能。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY3407AI商品编号
C3033400商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 70mΩ@10V,3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 463pF@15V |
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