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HXY3407MI
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
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- 描述
- 本款消费级MOSFET采用SOT-23-3L封装，搭载P沟道技术，额定电压为30V，连续电流高达4.1A，适用于各类电源管理和电子设备开关应用。凭借其小巧尺寸和高效性能，可实现高稳定性和低损耗的电路设计。
- 商品型号
- HXY3407MI
- 商品编号
- C3033399
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 42mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.22nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 463pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |