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HXY3401AI
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
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- 描述
- 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V系统设计，具备4.2A大电流处理能力。具有低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于充电器、电源转换等设备中，实现高效、可靠的功率控制与切换功能。
- 商品型号
- HXY3401AI
- 商品编号
- C3033397
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 880pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
HXY3400MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30 V，ID = 5.8 A
- RDS(ON) < 28 mΩ（VGS = 10 V时）
- RDS(ON) < 34 mΩ（VGS = 4.5 V时）
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理