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HXY3400MI

环保标识
  • 1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

  • SMT扩展库
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  • 描述

    该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装,适用于30V电压系统,额定电流高达5.8A。具备低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电器、电源转换等领域,为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。

  • 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 商品型号

    HXY3400MI
  • 商品编号

    C3033394
  • 商品封装

    SOT-23-3L
  • 包装方式

    编带

  • 商品毛重

    0.037克(g)

  • 商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5.8A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)35mΩ@10V,5.8A
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)825pF@15V

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