HXY3400MI
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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描述
该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，适用于30V电压系统，额定电流高达5.8A。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等领域，为电子设备提供高效、稳定的功率控制解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY3400MI商品编号
C3033394商品封装
SOT-23-3L包装方式
编带
商品毛重
0.037克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 35mΩ@10V,5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 825pF@15V |
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