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HXY3400AI
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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- 描述
- 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V系统设计，具备5.8A高电流承载能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换等领域，实现高效且稳定的功率控制，是现代电子设备的理想选择。
- 商品型号
- HXY3400AI
- 商品编号
- C3033395
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 825pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 78pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HXY3404MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V
- 漏极电流ID = 5A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护-负载开关-不间断电源