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HXY3400AI
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
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描述
这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为30V系统设计，具备5.8A高电流承载能力。凭借其低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源转换等领域，实现高效且稳定的功率控制，是现代电子设备的理想选择。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
HXY3400AI商品编号
C3033395商品封装
SOT-23包装方式
编带
商品毛重
0.009克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@10V,5.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 825pF@15V |
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