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HXY3415MI
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.1A
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- 描述
- 这款消费级MOSFET采用小型SOT-23-3L封装，内建P沟道技术，工作电压为20V，最大连续电流4.1A，适用于各类电子设备的电源管理和高效开关应用。凭借其紧凑尺寸和优良性能，有效提升系统效率并确保稳定运行。
- 商品型号
- HXY3415MI
- 商品编号
- C3033392
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.015克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC | |
| 输入电容(Ciss) | 950pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 165pF |
商品概述
HXY3401MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5 V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.2A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 54mΩ
- 当VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 77mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET