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HXY3416MI
N沟道增强型MOSFET,电流:6.5A,耐压:20V
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- 描述
- 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23-3L封装，专为20V电压系统设计，提供高达6.5A的连续电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电器、电源转换等场景，实现高效、稳定的功率控制需求。
- 商品型号
- HXY3416MI
- 商品编号
- C3033393
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 27mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 660pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
HXY3407MI采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 55mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- P沟道MOSFET