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NTMT150N65S3HF

N沟道,电流:24A,耐压:650V

品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NTMT150N65S3HF
商品编号: C2902091
商品封装: PQFN-4(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

商品概述

SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。因此，SUPERFAST III快速MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。TOLL封装采用开尔文源极配置，降低了寄生源极电感，具有更好的热性能和出色的开关性能。TOLL封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。

商品特性

700 V @ TJ = 150°C
典型RDS(on) = 121 mΩ
超低栅极电荷(典型Qg = 43 nC)
低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 400 pF)
经过100%雪崩测试
这些器件为无铅产品,符合RoHS标准

应用领域

电信/服务器电源
工业电源
不间断电源(UPS)/太阳能
照明

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	24A
	导通电阻(RDS(on))	150mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	5V
	栅极电荷量(Qg)	43nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.985nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道