温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTMFS022N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:41.9A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：小尺寸（5 x 6 mm），适合紧凑设计。 低RDS(on)，以最小化传导损耗。 低QG和电容，以最小化驱动损耗。 100% UIL测试。 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准。应用：同步整流。 AC-DC和DC-DC电源
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS022N15MC
- 商品编号
- C2902172
- 商品封装
- PQFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 41.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.315nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
-屏蔽栅MOSFET技术-低漏源导通电阻 (RDS(ON)),以最小化导通损耗-低栅极电荷 (Qg) 和电容,以最小化驱动损耗-低反向恢复电荷 (Qrr),软恢复体二极管-低输出电容电荷 (QOSS),以提高轻载效率-这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂、无铍,且符合RoHS标准
应用领域
-隔离式DC-DC转换器中的初级开关-DC-DC和AC-DC中的同步整流 (SR)-AC-DC适配器 (USB PD) 同步整流-负载开关、热插拔和或门开关-无刷直流 (BLDC) 电机和太阳能逆变器