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NTMFS5C426NLT1G
N沟道,电流:237A,耐压:40V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS5C426NLT1G
- 商品编号
- C2902173
- 商品封装
- DFN-5(5.9x4.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 237A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 128W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.6nF |
商品概述
G3401L采用先进的沟槽技术，具备出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）和低栅极电荷，可广泛应用于各类场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）：-30V
- 漏极电流（ID）（栅源电压（VGS） = -10V时）：-4.2A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -10V时）：< 60 mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -4.5V时）：< 70 mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）（VGS = -2.5V时）：< 95 mΩ
- 经过100%雪崩测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源开关
- DC/DC转换器