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NTPF095N65S3H
N沟道,电流:30A,耐压:650V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTPF095N65S3H
- 商品编号
- C2902182
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.7克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.833nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大程度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET非常适合用于各种追求小型化和更高效率的电源系统。 SUPERFET III FRFET MOSFET的体二极管经过优化，具备出色的反向恢复性能，可省去额外元件，提高系统可靠性。 Power88封装是一种超薄表面贴装封装（高度为1 mm），外形低矮，占用空间小（8x8 mm²）。采用Power88封装的SUPERFET III MOSFET由于具有较低的寄生源极电感以及独立的电源和驱动源，因此具备出色的开关性能。Power88封装的湿度敏感度等级为1级（MSL 1）。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型 RDS(on) = 77 mΩ
- 超低栅极电荷(典型 Qg = 58 nC)
- 低有效输出电容(典型 Coss(eff.) = 522 pF)
- 经过 100% 雪崩测试
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 计算机/显示器电源
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 照明/充电器/适配器