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NTMT190N65S3H
N沟道,电流:16A,耐压:650V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT190N65S3H
- 商品编号
- C2902178
- 商品封装
- TDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 129W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 23pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 156 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 31 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 292 pF)
- 经过100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 不间断电源/太阳能