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NTMTSC4D3N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:174A
- 描述
- 特性：小尺寸封装（8x8mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。 电池供电吸尘器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTSC4D3N15MC
- 商品编号
- C2902181
- 商品封装
- TDFNW-8(8.3x8.4)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.43克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 174A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 293W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@521uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 79nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.514nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.75nF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 296 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 17.5 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 180 pF）
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 计算机/显示器电源-电信/服务器电源-工业电源-照明/充电器/适配器