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NTMTS6D0N15MC
1个N沟道 耐压:150V 电流:135A
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- 描述
- 特性：小尺寸（8x8mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，可降低传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，可降低驱动损耗。 无铅、无卤、符合RoHS标准。应用：电动工具。 电池供电吸尘器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMTS6D0N15MC
- 商品编号
- C2902180
- 商品封装
- PowerTDFN-8(7.9x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.9mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 245W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.815nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.482nF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实施更加简便。
商品特性
- 小尺寸封装(8x8 mm),适合紧凑设计
- 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
- 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
- 这些器件为无铅、无卤/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-电动工具、电池供电吸尘器-无人机、物料搬运设备-电池管理系统/储能、家庭自动化