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NTMT095N65S3H
N沟道,电流:30A,耐压:650V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMT095N65S3H
- 商品编号
- C2902176
- 商品封装
- TDFN-4(8x8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 20W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.833nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 43pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 700 V @ TJ = 150°C
- 典型RDS(on) = 77 mΩ
- 超低栅极电荷(典型Qg = 58 nC)
- 低有效输出电容(典型Coss(eff.) = 522 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-电信/服务器电源-工业电源-不间断电源/太阳能