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NTMFSC010N08M7
1个N沟道 耐压:80V 电流:61A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFSC010N08M7
- 商品编号
- C2902175
- 商品封装
- DFN-8(5x6.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.15克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 61A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V@120uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 286pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷特性。该先进技术旨在最大限度降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III FAST MOSFET系列有助于缩小各类电源系统的体积并提高系统效率。
商品特性
- 700 V @ T_J = 150°C
- 典型RDS(on) = 55 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Q_g = 80 nC）
- 低有效输出电容（典型C_oss(eff.) = 691 pF）
- 100%雪崩测试
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- 电信/服务器电源
- 工业电源
- 电动汽车充电器
- 不间断电源/太阳能