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NTMFS7D8N10GTWG
1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
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- 描述
- 特性：宽安全工作区（SOA），适用于线性模式操作。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 高脉冲单脉冲雪崩电流能力，增强耐用性。 小尺寸封装（5x6 mm），适合紧凑型设计。 无铅、无卤素/BFR，符合RoHS标准。应用：48 V热插拔系统。 负载开关
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFS7D8N10GTWG
- 商品编号
- C2902174
- 商品封装
- SO-8-FL-5.9mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 92nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.18nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 624.5pF |
商品特性
- 适用于线性模式操作的宽安全工作区(SOA)
- 低 RDS(on) 以最小化传导损耗
- 高峰值非钳位感性开关(UIS)电流能力,增强耐用性
- 小封装尺寸(5x6 mm),便于紧凑设计
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂(BFR),并符合 RoHS 标准
应用领域
- 48 V 热插拔系统、负载开关、软启动、电子保险丝